Nové 512GB SSD Samsung s DDR NAND
16. 07. 2010
Samsung začne od července s prodejem nových SSD datových úložišť používajících jeho nejnovější 32Gbitové NAND flash čipy vyráběné 30nm technologií, jež poprvé z jeho výrobních linek sjely loni v listopadu.
Mimo faktu, že jsou to čipy rozměrem menší, vezmou si také méně energie v porovnání s dříve používanými 16Gbitovými na 40nm technologii.
A právě nižší spotřeba je, mimo jiné, vlastností tzv. DDR NAND přepínače, kdy SSD umí vyhodnotit frekvenci používání tohoto datového úložiště a pokud to uživatel nastaví, měla by mu tato technologie prodloužit práci s notebookem bez externího zdroje až o jednu hodinu.
zpět na hlavní stránku
Copyright Aira GROUP, správa sítě
Novinky
Buffalo přináší do Evropy 12x Blu-ray vypalovačku s USB 3.0
31. 08. 2010
Společnost Buffalo přináší na evropské trhy novou externí vypalovací mechaniku pro Blu-ray.
Více »OCZ RevoDrive: ultrarychlé SSD do PCI Express
RevoDrive je název nového solid-state disku od OCZ, který má podobu karty do PCI Express x4 slotu.
Více »Nové 512GB SSD Samsung s DDR NAND
16. 07. 2010
Samsung začne od července s prodejem nových SSD datových úložišť používajících jeho nejnovější 32Gbitové NAND flash čipy vyráběné 30nm technologií.
Více »archív novinek
Email